FDS6675BZ
FDS6675BZ
部品型番:
FDS6675BZ
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19161 Pieces
データシート:
FDS6675BZ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):13 mOhm @ 11A, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:FDS6675BZDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:FDS6675BZ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2470pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:62nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Ta)
Email:[email protected]

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