FJV4102RMTF
部品型番:
FJV4102RMTF
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12235 Pieces
データシート:
1.FJV4102RMTF.pdf2.FJV4102RMTF.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 500µA, 10mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):10k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):10k
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:FJV4102RMTF-ND
FJV4102RMTFTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:FJV4102RMTF
周波数 - トランジション:200MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):30 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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