購入 FQA28N15_F109とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3PN |
シリーズ: | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 90 mOhm @ 16.5A, 10V |
電力消費(最大): | 227W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | FQA28N15_F109 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1600pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 52nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 150V 33A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-3PN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 150V |
説明: | MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 33A (Tc) |
Email: | [email protected] |