FQA7N90M_F109 - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル FQA7N90M_F109 - BYCHIPS

FQA7N90M_F109

部品型番:: FQA7N90M_F109

メーカー:: Fairchild/ON Semiconductor

説明:: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 15013 Pieces

データシート:: FQA7N90M_F109.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-3PN
シリーズ:	QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.8 Ohm @ 3.5A, 10V
電力消費（最大）:	210W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-3P-3, SC-65-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	FQA7N90M_F109
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1880pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	52nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 900V 7A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3PN
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	900V
説明:	MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	7A (Tc)
Email:	[email protected]

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