購入 FQB6N80TMとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
シリーズ: | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V |
電力消費(最大): | 3.13W (Ta), 158W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | FQB6N80TM-ND FQB6N80TMTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 9 Weeks |
製造元の部品番号: | FQB6N80TM |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1500pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 31nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 800V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 800V |
説明: | MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |