購入 FQPF19N10とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220F |
シリーズ: | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 100 mOhm @ 6.8A, 10V |
電力消費(最大): | 38W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 6 Weeks |
製造元の部品番号: | FQPF19N10 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 780pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 13.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |