購入 GA10JT12-263とBYCHPS
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GA10JT12-263
- 部品型番:
- GA10JT12-263
- 説明:
- TRANS SJT 1200V 25A
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17183 Pieces
- データシート:
- GA10JT12-263.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 GA10JT12-263、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください GA10JT12-263をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | - |
|---|---|
| Vgs（最大）: | 3.5V |
| 技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | - |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 120 mOhm @ 10A |
| 電力消費（最大）: | 170W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | - |
| 他の名前: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
| 運転温度: | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
| 製造元の部品番号: | GA10JT12-263 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1403pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | - |
| FETタイプ: | - |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1200V (1.2kV) |
| 説明: | TRANS SJT 1200V 25A |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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