GB100XCP12-227 - GeneSiC Semiconductor - トランジスタ-igbt-モジュール GB100XCP12-227

GB100XCP12-227

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	1200V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2V @ 15V, 100A
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-227
シリーズ:	-
電力 - 最大:	-
パッケージ/ケース:	SOT-227-4
他の名前:	1242-1142 GB100XCP12227
運転温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
NTCサーミスタ:	No
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	18 Weeks
製造元の部品番号:	GB100XCP12-227
入力容量（量Cies）@ Vceは:	8.55nF @ 25V
入力:	Standard
IGBTタイプ:	PT
拡張された説明:	IGBT Module PT Single 1200V 100A Chassis Mount SOT-227
説明:	IGBT 1200V 100A SOT-227
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1mA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100A
コンフィギュレーション:	Single
Email:	[email protected]