HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST
部品型番:
HGT1S10N120BNST
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15141 Pieces
データシート:
HGT1S10N120BNST.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.7V @ 15V, 10A
試験条件:960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:23ns/165ns
エネルギーの切り替え:320µJ (on), 800µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263AB
シリーズ:-
電力 - 最大:298W
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:HGT1S10N120BNSTDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
製造元の部品番号:HGT1S10N120BNST
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:NPT
ゲートチャージ:100nC
拡張された説明:IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
説明:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
電流 - コレクタパルス(ICM):80A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):35A
Email:[email protected]

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