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HN3C10FUTE85LF
HN3C10FUTE85LF
部品型番:
HN3C10FUTE85LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANSISTOR NPN US6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19432 Pieces
データシート:
HN3C10FUTE85LF.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:12V
トランジスタ型式:2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:US6
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:HN3C10FUTE85LFCT
運転温度:-
ノイズ指数（F @デシベル標準）:1.1dB @ 1GHz
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:HN3C10FUTE85LF
利得:11.5dB
周波数 - トランジション:7GHz
拡張された説明:RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
説明:TRANSISTOR NPN US6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:80 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:80mA
Email:[email protected]

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