HS8K11TB
HS8K11TB
部品型番:
HS8K11TB
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18415 Pieces
データシート:
HS8K11TB.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ:HSML3030L10
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):17.9 mOhm @ 7A, 10V
電力 - 最大:2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-UDFN Exposed Pad
他の名前:HS8K11TBTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:HS8K11TB
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:500pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:11.1nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):7A, 11A
Email:[email protected]

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