購入 HTNFET-DとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 100µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-CDIP-EP |
シリーズ: | HTMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
電力消費(最大): | 50W (Tj) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 8-CDIP Exposed Pad |
他の名前: | 342-1078 |
運転温度: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | HTNFET-D |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 290pF @ 28V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 55V |
説明: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | - |
Email: | [email protected] |