IMB9AT110
IMB9AT110
部品型番:
IMB9AT110
メーカー:
LAPIS Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14249 Pieces
データシート:
IMB9AT110.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SMT6
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):10k
電力 - 最大:300mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
他の名前:IMB9AT110-ND
IMB9AT110TR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IMB9AT110
周波数 - トランジション:250MHz
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
説明:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):68 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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