IPB04N03LAT - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPB04N03LAT - BYCHIPS

IPB04N03LAT

部品型番:: IPB04N03LAT

メーカー:: International Rectifier (Infineon Technologies)

説明:: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 13107 Pieces

データシート:: IPB04N03LAT.pdf

オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 IPB04N03LAT、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPB04N03LATをメールでお送りします。

購入 IPB04N03LATとBYCHPS

保証付きで購入する

規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 60µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO263-3-2
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.9 mOhm @ 55A, 10V
電力消費（最大）:	107W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	IPB04N03LAXTINDKR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPB04N03LAT
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3877pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	32nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 25V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]

同様のモデルのIPB04N03LAT

絵	部品型番	メーカー	説明	ビュー
	IPB04N03LA	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK	オンラインお問い合わせ
	IPB04N03LB	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	オンラインお問い合わせ
	IPB041N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3	オンラインお問い合わせ
	IPB044N15N5ATMA1	Infineon Technologies	MV POWER MOS	オンラインお問い合わせ
	IPB049N06L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3	オンラインお問い合わせ
	IPB042N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	オンラインお問い合わせ
	IPB04N03LA G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 80A TO-263	オンラインお問い合わせ
	IPB04N03LB G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	オンラインお問い合わせ
	IPB042N10N3GE8187ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3	オンラインお問い合わせ
	IPB049N08N5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V TO263-3	オンラインお問い合わせ
	IPB048N06LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO-263	オンラインお問い合わせ
	IPB049NE7N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3	オンラインお問い合わせ

最新ニュース