IPB123N10N3 G
IPB123N10N3 G
部品型番:
IPB123N10N3 G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15991 Pieces
データシート:
IPB123N10N3 G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 46µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263-2
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12.3 mOhm @ 46A, 10V
電力消費(最大):94W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:IPB123N10N3 G-ND
IPB123N10N3 GTR
IPB123N10N3G
IPB123N10N3GATMA1
SP000485968
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:IPB123N10N3 G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2500pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):58A (Tc)
Email:[email protected]

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