IPB180N06S4H1ATMA2 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 200µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO263-7-3
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.7 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）:	250W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:	SP001028786
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPB180N06S4H1ATMA2
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	21900pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	270nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	180A (Tc)
Email:	[email protected]