購入 IPB60R600P6ATMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 200µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263 |
シリーズ: | CoolMOS™ P6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
電力消費(最大): | 63W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | SP001313874 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | IPB60R600P6ATMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 557pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N-CH TO263-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |