IPD053N06NATMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.8V @ 36µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO252-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	5.3 mOhm @ 45A, 10V
電力消費（最大）:	3W (Ta), 83W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IPD053N06N IPD053N06NATMA1TR IPD053N06NTR IPD053N06NTR-ND IPD053N06NXTMA1 SP000962138
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPD053N06NATMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2000pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	27nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	18A (Ta), 45A (Tc)
Email:	[email protected]