IPD30N06S2L13ATMA4 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 80µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO252-3-11
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	13 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	136W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IPD30N06S2L13ATMA4-ND IPD30N06S2L13ATMA4TR SP001061280
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	26 Weeks
製造元の部品番号:	IPD30N06S2L13ATMA4
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1800pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	69nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A (Tc)
Email:	[email protected]