IPI80P04P4L06AKSA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPI80P04P4L06AKSA1

IPI80P04P4L06AKSA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO262-3-1
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	6.7 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	88W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	SP000842050
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPI80P04P4L06AKSA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6580pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	104nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 40V 80A (Tc) 88W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET P-CH TO262-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]