IPP052N06L3GXKSA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 58µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO-220-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	5 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	115W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	IPP052N06L3 G IPP052N06L3 G-ND SP000680802
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPP052N06L3GXKSA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	8400pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	50nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]