IPP120N06S403AKSA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPP120N06S403AKSA1

IPP120N06S403AKSA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 120µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO220-3-1
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.2 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）:	167W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	IPP120N06S4-03 IPP120N06S4-03-ND SP000396380
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPP120N06S403AKSA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	13150pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	160nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 120A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	120A (Tc)
Email:	[email protected]