IPS031N03L G - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPS031N03L G

IPS031N03L G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO251-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.1 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	94W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
他の名前:	IPS031N03LGIN IPS031N03LGXK SP000256160
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPS031N03L G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	5300pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	51nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	90A (Tc)
Email:	[email protected]