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IRF640NLPBF
IRF640NLPBF
部品型番:
IRF640NLPBF
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
20340 Pieces
データシート:
IRF640NLPBF.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-262
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:150 mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大）:150W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:*IRF640NLPBF
SP001563296
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
製造元の部品番号:IRF640NLPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1160pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:67nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:200V
説明:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:18A (Tc)
Email:[email protected]

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