購入 IRF6711STR1PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.35V @ 25µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ SQ |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.8 mOhm @ 19A, 10V |
電力消費(最大): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric SQ |
他の名前: | IRF6711STR1PBFTR SP001527012 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRF6711STR1PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1810pF @ 13V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 25V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
説明: | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 19A (Ta), 84A (Tc) |
Email: | [email protected] |