IRF8302MTR1PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF8302MTR1PBF

IRF8302MTR1PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	DIRECTFET™ MX
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.8 mOhm @ 31A, 10V
電力消費（最大）:	2.8W (Ta), 104W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	DirectFET™ Isometric MX
他の名前:	IRF8302MTR1PBF-ND SP001566576
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRF8302MTR1PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6030pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	53nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N CH 30V 31A MX
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	31A (Ta), 190A (Tc)
Email:	[email protected]