購入 IRF9333PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 25µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V |
電力消費(最大): | 2.5W (Ta) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SP001554504 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRF9333PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1110pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 38nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 30V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 9.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |