IRFB7434GPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFB7434GPBF

IRFB7434GPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.9V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220-3
シリーズ:	HEXFET®, StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.6 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）:	-
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	SP001577770
運転温度:	-
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRFB7434GPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	10820pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	324nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 40V 195A (Tc) Through Hole TO-220-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	195A (Tc)
Email:	[email protected]