IRFD010PBF
IRFD010PBF
部品型番:
IRFD010PBF
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14476 Pieces
データシート:
IRFD010PBF.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):200 mOhm @ 860mA, 10V
電力消費(最大):1W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:4-DIP (0.300", 7.62mm)
他の名前:*IRFD010PBF
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
製造元の部品番号:IRFD010PBF
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:250pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:13nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:50V
説明:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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