IRFH4251DTRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 35µA
サプライヤデバイスパッケージ:	PQFN (5x6)
シリーズ:	FASTIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.2 mOhm @ 30A, 10V
電力 - 最大:	31W, 63W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerVDFN
他の名前:	IRFH4251DTRPBFTR SP001556236
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IRFH4251DTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1314pF @ 13V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15nC @ 4.5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual), Schottky
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 25V 64A, 188A 31W, 63W Surface Mount PQFN (5x6)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	25V
説明:	MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	64A, 188A
Email:	[email protected]