IRFH5210TR2PBF
IRFH5210TR2PBF
部品型番:
IRFH5210TR2PBF
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13191 Pieces
データシート:
IRFH5210TR2PBF.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 100µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PQFN (5x6)
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):14.9 mOhm @ 33A, 10V
電力消費(最大):3.6W (Ta), 104W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:IRFH5210TR2PBFDKR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IRFH5210TR2PBF
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2570pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:59nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 10A (Ta), 55A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):10A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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