IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF
部品型番:
IRFH8202TRPBF
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15399 Pieces
データシート:
IRFH8202TRPBF.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.35V @ 150µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-PQFN (5x6)
シリーズ:HEXFET®, StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.05 mOhm @ 50A, 10V
電力消費(最大):3.6W (Ta), 160W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:IRFH8202TRPBF-ND
IRFH8202TRPBFTR
SP001572718
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:IRFH8202TRPBF
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:7174pF @ 13V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:110nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 25V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:25V
説明:MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):47A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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