IRFHM8342TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFHM8342TRPBF

IRFHM8342TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 25µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	16 mOhm @ 17A, 10V
電力消費（最大）:	2.6W (Ta), 20W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-PowerTDFN
他の名前:	IRFHM8342TRPBFTR SP001551976
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IRFHM8342TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	560pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	7.5nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 10A (Ta) 2.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	10A (Ta)
Email:	[email protected]