IRFR220NCPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFR220NCPBF

IRFR220NCPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D-Pak
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	600 mOhm @ 2.9A, 10V
電力消費（最大）:	43W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRFR220NCPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	300pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	23nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 200V 5A (Ta) 43W (Tc) Surface Mount D-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	200V
説明:	MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5A (Ta)
Email:	[email protected]