IRFS31N20DTRLP - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFS31N20DTRLP

IRFS31N20DTRLP

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同上@ VGS（TH）（最大）:	5.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	82 mOhm @ 18A, 10V
電力消費（最大）:	3.1W (Ta), 200W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	IRFS31N20DTRLPDKR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRFS31N20DTRLP
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2370pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	107nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	200V
説明:	MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	31A (Tc)
Email:	[email protected]