IRFS4229PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFS4229PBF

IRFS4229PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	48 mOhm @ 26A, 10V
電力消費（最大）:	330W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	SP001576214
運転温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRFS4229PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	4560pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	110nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 250V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	250V
説明:	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	45A (Tc)
Email:	[email protected]