IRFS7730PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFS7730PBF

IRFS7730PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.7V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:	HEXFET®, StrongIRFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	2.6 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）:	375W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	SP001571682
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRFS7730PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	13660pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	407nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 75V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	75V
説明:	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	195A (Tc)
Email:	[email protected]