IRL8113PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRL8113PBF

IRL8113PBF

簡潔な

BYCHIPSは、 IRL8113PBF、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IRL8113PBFをメールでお送りします。

購入 IRL8113PBFとBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	2.25V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	6 mOhm @ 21A, 10V
電力消費（最大）:	110W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	*IRL8113PBF SP001576430
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	15 Weeks
製造元の部品番号:	IRL8113PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2840pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	35nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	105A (Tc)
Email:	[email protected]