IRLBD59N04ETRLP
部品型番:
IRLBD59N04ETRLP
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14083 Pieces
データシート:
IRLBD59N04ETRLP.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-263-5
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):18 mOhm @ 35A, 10V
電力消費(最大):130W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IRLBD59N04ETRLP
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2190pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:50nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
説明:MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):59A (Tc)
Email:[email protected]

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