購入 IRLH5030TR2PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 150µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PQFN (5x6) Single Die |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 9 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大): | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
他の名前: | IRLH5030TR2PBFDKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRLH5030TR2PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 5185pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 94nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 13A (Ta), 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |