IRLI610ATU
部品型番:
IRLI610ATU
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12011 Pieces
データシート:
IRLI610ATU.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
電力消費(最大):3.1W (Ta), 33W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IRLI610ATU
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:240pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:9nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole I2PAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:200V
説明:MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):3.3A (Tc)
Email:[email protected]

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