IRLL024NPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLL024NPBF

IRLL024NPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±16V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-223
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	65 mOhm @ 3.1A, 10V
電力消費（最大）:	1W (Ta)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-261-4, TO-261AA
他の名前:	SP001550452
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRLL024NPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	510pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	15.6nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3.1A (Ta)
Email:	[email protected]