IRLML6402TR - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLML6402TR

IRLML6402TR

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	Micro3™/SOT-23
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
電力消費（最大）:	1.3W (Ta)
パッケージング:	Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:	*IRLML6402TR IRLML6402 IRLML6402-ND IRLML6402CT
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRLML6402TR
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	633pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	12nC @ 5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	3.7A (Ta)
Email:	[email protected]