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IXFN360N10T
IXFN360N10T
部品型番:
IXFN360N10T
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16124 Pieces
データシート:
IXFN360N10T.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4.5V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-227B
シリーズ:HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:2.6 mOhm @ 180A, 10V
電力消費（最大）:830W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXFN360N10T
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:36000pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:505nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:360A
Email:[email protected]

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