IXFN70N60Q2
IXFN70N60Q2
部品型番:
IXFN70N60Q2
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12685 Pieces
データシート:
IXFN70N60Q2.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 8mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-227B
シリーズ:HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):80 mOhm @ 35A, 10V
電力消費(最大):890W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:IXFN70N60Q2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:7200pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:265nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 70A 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):70A
Email:[email protected]

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