IXFX44N80P - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFX44N80P

IXFX44N80P

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同上@ VGS（TH）（最大）:	5V @ 8mA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PLUS247™-3
シリーズ:	HiPerFET™, PolarHT™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	190 mOhm @ 22A, 10V
電力消費（最大）:	1040W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	IXFX44N80P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	12000pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	198nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 800V 44A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	800V
説明:	MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	44A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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IXFX44N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247	オンラインお問い合わせ
IXFX48N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247	オンラインお問い合わせ
IXFX44N80Q3	IXYS	MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247	オンラインお問い合わせ
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IXFX420N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247	オンラインお問い合わせ
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TPC8126,LQ(CM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP	オンラインお問い合わせ
AOTF2610L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET N-CH 60V 35A TO220F	オンラインお問い合わせ
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