購入 IXTN30N100LとBYCHPS
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IXTN30N100L
- 部品型番:
- IXTN30N100L
- メーカー:
- IXYS Corporation
- 説明:
- MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 13011 Pieces
- データシート:
- IXTN30N100L.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IXTN30N100L、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IXTN30N100Lをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 450 mOhm @ 15A, 20V |
| 電力消費（最大）: | 800W (Tc) |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
| 他の名前: | Q3424174 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Chassis Mount |
| 製造元の部品番号: | IXTN30N100L |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 13700pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 545nC @ 20V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 1000V (1kV) 30A 800W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 1000V (1kV) |
| 説明: | MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 30A |
| Email: | [email protected] |
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