購入 JAN1N6625USとBYCHPS
保証付きで購入する
JAN1N6625US
- 部品型番:
- JAN1N6625US
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 15713 Pieces
- データシート:
- JAN1N6625US.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 JAN1N6625US、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください JAN1N6625USをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.75V @ 1A |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 1100V (1.1kV) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | D-5A |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| 逆回復時間（trrの）: | 60ns |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | SQ-MELF, A |
| 他の名前: | 1086-19977 1086-19977-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 150°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | JAN1N6625US |
| 拡張された説明: | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount D-5A |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1µA @ 1100V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのJAN1N6625US
最新ニュース
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog