JAN2N1486 - Microsemi Corporation - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル JAN2N1486

JAN2N1486

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	55V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	750mV @ 40mA, 750mA
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-8
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500/207
電力 - 最大:	1.75W
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
他の名前:	1086-16075 1086-16075-MIL
運転温度:	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	JAN2N1486
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 3A 1.75W Through Hole TO-8
説明:	TRANS NPN 55V 3A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	35 @ 750mA, 4V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	15µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	3A
Email:	[email protected]