購入 JANTX1N5809URSとBYCHPS
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JANTX1N5809URS
- 部品型番:
- JANTX1N5809URS
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 13293 Pieces
- データシート:
- JANTX1N5809URS.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 JANTX1N5809URS、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください JANTX1N5809URSをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 100V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | B, SQ-MELF |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| 逆回復時間（trrの）: | 30ns |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | SQ-MELF, B |
| 他の名前: | 1086-19442 1086-19442-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | JANTX1N5809URS |
| 拡張された説明: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 説明: | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5µA @ 100V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 3A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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